Größte Innovation auf dem Markt für GaN-Halbleitergeräte mit führenden Schlüsselakteuren – Avago Technologies, Toshiba, Texas Instruments, NXP Semiconductors, Aixtron SE, Fujitsu Ltd, Cree Incorporated, Infineon Technologies, Panasonic Semiconductors, Osram Opto-semiconductors, Bridgelux, Qorvo, International Rectifier Corporation, GaN Systems Incorporated, RF Micro Devices Corporation, ROHM Company Limited, Efficient Power Conservation Corporation, Freescale Semiconductor Corporation, Gallia Semiconductor, Nichia Corporation
Mr Accuracy Reports veröffentlichte neue Forschungsergebnisse zu Global GaN-Halbleiterbauelemente, die die Analyse auf Mikroebene von Wettbewerbern und wichtigen Geschäftssegmenten (2022-2029) abdecken. Das Global GaN-Halbleiterbauelemente untersucht eine umfassende Studie zu verschiedenen Segmenten…